Sb_2Te_3薄膜的性质及光伏应用

【摘要】：采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳电池的背接触层,在不同温度下进行了快速退火处理,获得了效率为12.34%(Voc=805.9mV,Jsc=25.1mA/cm2,FF=0.61)的小面积太阳电池。 【作者单位】： 四川大学材料科学与工程学院;
【关键词】： SbTe薄膜 共蒸发 CdTe太阳电池 背接触
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 一引言近年来,由于其低成本、高效率,CdTe/CdS薄膜太阳电池被广泛关注及研究[1,2]。迄今为止,其最高效率纪录维持在16.5%[3]。CdTe薄膜因自补偿作用不易实现p型的高掺杂,且功函数较高,使其难于同金属形成良好的低欧姆接触。在CdTe层与金属背电极之间加一层过渡层——背接触层

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