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多晶硅薄膜太阳能电池的陶瓷衬底材料

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 15:45:17
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多晶硅薄膜太阳能电池的陶瓷衬底材料【摘要】:正目前,薄膜太阳能电池是主要的发展方向,在廉价衬底上沉积硅薄膜。这些衬底可以是陶瓷、硅带、玻璃等等,沉积的方法有化学气相沉积、液相外延等

【摘要】:正目前,薄膜太阳能电池是主要的发展方向,在廉价衬底上沉积硅薄膜。这些衬底可以是陶瓷、硅带、玻璃等等,沉积的方法有化学气相沉积、液相外延等。本文采用陶瓷作为太阳能电池的衬底材料,通过陶瓷烧结工艺来制备Si_3N_4衬底,利用杂质阻挡层来实现在异质衬底上生长多晶硅薄膜有源层。经处理后的Si_3N_4样品分为两组,一组用PECVD沉积Si_3N_4作为杂质阻挡层,将两组样品置于RTCVD系统中生长薄膜,生长温度为1100~1150℃,生长速率为1.5μm/min,薄膜厚度为46μm。四探针测量和Hall测量测得薄膜的方块电阻力15.2Ω/□,薄膜的电阻率为0.07Ω·cm,掺杂浓度为5.5E+17cm~(-3),迁移率为 【作者单位】:清华大学材料科学与工程系 清华大学材料科学与工程系 清华大学材料科学与工程系
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 目前,薄膜太阳能电池是主要的发展方向,在廉价衬底上沉积硅薄膜。这些衬底可以是陶瓷、硅带、玻璃等等,沉积的方法有化学气相沉积、液相夕诞等。本文采用陶瓷作为太阳能电池的衬底材料,通过陶瓷烧结工艺来制备Si3N;衬底,利用杂质阻挡层来实现在异质衬底上生长多晶硅薄膜有源

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