薄膜硅光伏组件的漏电通道模型及绝缘电阻的定量测试

【摘要】：为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(damp heat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果。在DH实验之前,组件边缘的绝缘电阻比前后玻璃高20倍至2个数量级,前后玻璃处的漏电决定了组件绝缘性能。经过1 000 h的DH实验之后,边缘绝缘电阻大幅下降约2个数量级,成为小面积(300 mm×300 mm)组件绝缘性能的决定性因素,但是在大面积(1 300 mm×1 100 mm)组件中,前后玻璃在很多情况下仍是组件漏电流的主要通道。 【作者单位】： 保定天威薄膜光伏有限公司;
【关键词】： 薄膜光伏组件 漏电通道 绝缘电阻 定量测量
【基金】：国家973计划(2011CBA00700) 保定天威集团研发项目(RD1116)资助
【分类号】：TM934.31
【正文快照】： 1引言目前,由于能源危机及全球变暖问题的日益突出,光伏产业在过去10年里发展迅猛,据统计,截止到2010年,全球累计光伏组件装机容量超过40 GW[1]。与此同时,由于光伏组件的可靠性和寿命直接关系到光伏系统的收益,并可能对人员和财产的安全带来重大影响,因此越来越受到人们的关

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