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高方阻晶硅太阳能电池正面电极的匹配设计与烧结工艺

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 14:32:35
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高方阻晶硅太阳能电池正面电极的匹配设计与烧结工艺【摘要】:采用液态磷源扩散法,通过控制扩散工艺条件制备具有不同方块电阻的多晶体硅片,并采用丝网印刷烧结技术制备晶体硅太阳能电池片,研

【摘要】:采用液态磷源扩散法,通过控制扩散工艺条件制备具有不同方块电阻的多晶体硅片,并采用丝网印刷烧结技术制备晶体硅太阳能电池片,研究方块电阻、正面细栅线电极宽度、主栅类型以及烧结工艺对晶硅太阳能电池的光电转换性能的影响。结果表明,在方块电阻为80?/□,栅线宽度为60μm条件下,采用三主栅时,多晶硅太阳能电池片的短路电流、开路电压及填充因子均较高,光电转换效率最优,达到16.931%。通过优化烧结工艺,选择峰值烧结温度为800℃,带速为660 cm/min以及升温速率为65.7℃/s,细栅线电极的致密度高,光电转换效率达到17.207%。 【作者单位】: 中南大学材料科学与工程学院;
【关键词】扩散法 丝网印刷 方块电阻 烧结工艺 光电转换效率
【基金】:湖南省科技重大专项(2009FJ1002-3)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 为了进一步提升晶硅太阳能电池的光电转换效率,降低电池发射结的表面掺杂浓度,减小结深,从而增加发射结的方块电阻已成为必然趋势[1]。相对于常规方块电阻(以下简称方阻)而言,高方阻晶硅太阳能电池由于表面少子复合效应减弱以及短波光谱响应提高,开路电压和短路电流均得到改善

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