含三氯乙烷干氧气氛中二氧化硅薄层的生长规律

【摘要】：研究了含TOA(三氯乙烷)干氧气氛中,温度在900～1100℃范围内,10～100nm二氧化硅薄层的生长规律。讨论了该规律的解析表达式和有关模型参数。比较了经高温含氧退火和未经高温退火所生长的氧化层的击穿电场强度和可动离子沾污等特性。结果表明,前者优于后者。经含氧退火处理的薄氧化层更适用于小尺寸器件。 【作者单位】： 复旦大学微电子学研究所 复旦大学微电子学研究所
【关键词】： 二氧化硅 薄膜生长 SiO_薄膜质量。
【基金】：国家自然科学基金
【正文快照】： 一引吉 、V侣卜J 制造小尺寸MOSFET时,根据按比例缩小原则〔,〕要求栅氧化层厚度也要相应减小.亚微米MOSFET中,栅氧化层的厚度已薄至20 nm(参见文献〔幻第368页).为了获得高质量姗氧化层,人们往往在氧气中加入少量的含氯化合物,如Cl:,HCI,TCE(三氯乙烯)和TCA(三氯乙烷)等〔3川

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