光伏法研究高能电子辐照单晶硅的性能

【摘要】：采用光伏方法测量了1MeV高能电子辐照(辐照剂量为10~(13)～10~(16)cm~(-2))前后硅单晶少子扩散长度的变化;结合红外光吸收谱的测量结果,分析了高能电子辐照对硅单晶性能的影响。实验结果表明:高阻硅比低阻硅具有更强的抗辐射能力,大剂量的电子辐照可以改变n型硅的导电类型。文中还计算了电子辐照在硅中所产生的缺陷浓度等一些重要参数。 【作者单位】： 集美航海学院物理室
【关键词】： 硅单晶 电子辐照 光伏 深能级
【正文快照】： 第14卷第4期朱文章:光伏法研究高能电于辐照单晶硅的性能3砰1引言 有许多半导体器件要在有辐射的环境中工作,并且经过辐射后还必须能继续工作,如人造卫星,宇宙飞船上使用的太阳能电池和部分电子元件。卫星通过范艾伦带辐射最强的区域时,每天受到的电子辐照剂量达1.8X10,3cm一

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