化合物半导体光伏电池研究进展

【摘要】：综述了化合物半导体材料制备的太阳电池及组件的研究、开发进展。这些材料包括铜铟 (镓 )硒(CuIn(Ga)Se2 )、碲化镉 (CdTe)和Ⅲ -V族化合物。就光伏应用的要求而论 ,这些材料比晶体硅 (c -Si)更为合适 ;这主要是由于 :化合物半导体材料的带隙Eg约 1 40eV(而Si的Eg为 1 1eV) ,且为直接跃迁 (Si为间接跃迁 ) ,从而所制电池与太阳光谱更匹配、对阳光吸收系数更大 ,使得这些材料适合制作薄膜电池 ,电池厚度 2～3μm即可 ;而c -Si电池厚度一般在 2 0 0 μm以上。目前 ,这些化合物电池转换效率的最高值已达 1 8 8%(CIGS)、1 6% (CdTe)和 30 2 8% (InGaP/GaAs)。最后 ,简要介绍了我国在所述PV电池方面的研究现状。 【作者单位】： 北京有色金属研究总院 北京有色金属研究总院
【关键词】： 光伏 太阳电池 铜铟(镓)硒 碲化镉 砷化镓 转换效率
【分类号】：TN301
【正文快照】： 基于半导体材料及其光生伏特效应〔1〕的太阳电池研制和生产已有 4 0多年的历史 ,自 1 954年美国Ｐｅａｒｓｏｎ等报道了第一个Ｓｉ太阳电池以来 ,各种半导体材料光伏电池相继问世 (表 1 〔2〕)。目前 ,商品光伏电池和组件仍以晶体Ｓｉ电池为主〔3〕,这是由于Ｓｉ材料及器件

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