HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究

【摘要】：在HgCdT e光伏探测器件S iO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和A+r刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件。对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而A r+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使S iO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力。 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室
【关键词】： O+清洗 Ar+刻蚀 钝化 HgCdTe光伏探测器
【分类号】：TN215
【正文快照】： 1引言碲镉汞(HgCdT e)作为一种性能良好的红外探测器材料,以其独特的物理特性和应用潜力而日益引起了人们的广泛关注,成为仅次于S i和G aA s的应用最广的半导体材料。HgCdT e红外探测器主要有两种类型:光导型和光伏型。但不管是光导探测器还是光伏探测器,器件的表面钝化技术

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