水热及溶剂热制备形貌可控CuInS_2光伏材料的研究进展

【摘要】：纳米CuInS_2材料是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.50eV,吸收系数高达10~5cm~(-1),在太阳电池领域有着广阔的应用前景。水热及溶剂热法是液相制备纳米粉体的常用方法之一,其用于制备形貌可控的CuInS_2光伏材料具有独特的优势。介绍了黄铜矿型CuInS_2晶体的结构和性质以及水热及溶剂热法的原理和特点;综述了近年来国内外水热及溶剂热法制备不同形貌与结构CuIS_2光伏材料的研究现状,研究了其制备特点及制备机理;最后探讨了目前存在的问题及今后研究的方向。 【作者单位】： 同济大学材料科学与工程学院;同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室;
【关键词】： 水热及溶剂热 CuInS_光伏材料 形貌控制
【基金】：国家自然科学基金(50772075)
【分类号】：TB383.1
【正文快照】： Culn岛属工B--lll卉VIA族化合物，为直接带隙半导体材料，禁带宽度为1.50eV，接近太阳电池所需的最佳禁带宽度，且对温度变化不敏感，因此不需要添加其他元素就可调整其禁带宽度，从而简化了太阳电池的生产过程，提高了生产的稳定性〔‘一7〕。Cul碳材料的吸收系数高达loscm

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