V-Ga共掺TiO_2光伏电池模拟与研究

【摘要】：基于实验上获得的带隙宽度为1.6eV的V-Ga共掺杂TiO2材料,设计了一种新型pin结构光伏电池.通过Nb:TiO2作为n型重掺杂层,Cu2O或CuO作为p型掺杂层,建立pn结自建电场.中间层V-Ga:TiO2为主要光吸收层,运用AMPS-1D软件模拟器件性能,研究Cu2O或CuO材料作为p型层对光伏性能的影响.模拟结果显示,Cu2O在这种结构中适合作为p型层,优化后器件光伏转化效率可达到34%.此外,通过对材料中带尾缺陷密度、吸收层与p型层界面对器件性能影响的研究,为器件制备中可能存在的问题提供解决思路. 【作者单位】： 湖北大学物理学与电子技术学院;湖北大学材料科学与工程学院;
【关键词】： AMPS-D pin光伏电池 V-Ga共掺TiO 光伏特性
【基金】：教育部科学技术研究重点项目(211108) 武汉市科技攻关项目(201110821251) 湖北省科技厅研究与开发计划(2011BAB032)资助
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言随着传统能源的消耗以及随之而来的越来越突出的全球能源危机和大气污染等问题[1],导致太阳能等可再生能源得到了越来越广泛的重视.其中光伏电池是一种利用太阳能的重要手段.经过近70年的发展,由硅片制造的光伏电池因转换效率高、生产技术成熟等优点,已经占据了全球光伏

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