辉光功率对硅薄膜太阳能电池串联电阻的影响

【摘要】：采用RF-PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池,得到本征层的辉光功率分别是4W,7.2W,9W,20W,40W。用磁控溅射在P层表面蒸镀ITO透明电极,用太阳能模拟器做光源,测试了电池的串联电阻等性能参数。结果表明本征层辉光功率对电池串联电阻的影响显著。在相同条件下制备了本征单层膜系列样品并进行表征。通过对薄膜性质的分析,运用三相混合模型和渗流理论解释了串联电阻随本征层辉光功率变化的原因。 【作者单位】： 南阳理工学院电子与电气工程系;
【关键词】： 太阳能电池 辉光功率 硅薄膜 渗流理论
【基金】：河南省基础与前沿基础研究项目(072300410310,092300410182) 南阳市科技发展计划资助项目(2005PT109) 河南省青年骨干教师资助计划(2008755009)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0前言基于太阳能电池的单二极管等效电路模型,太阳能电池有串联电阻RS。串联电阻的主要来源是制造电池的半导体材料的体电阻、电极及互联金属的电阻以及电极和半导体之间的接触电阻。串联电阻是硅基薄膜太阳能电池的一个重要参数,可起到减小填充因子的作用,很高的RS值还会减

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