首页 > 学术论文

带有本征薄层的异质结太阳能电池

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 17:09:18
热度:

带有本征薄层的异质结太阳能电池【摘要】:带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种。根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程

【摘要】:带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种。根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,指出PECVD技术在制备HIT电池中存在的问题,并对HWCVD法制备高效HIT电池的前景进行了探讨,同时分析了a-Si:H/Si界面钝化、双面异质结结构、表面织构及栅线的优化设计等技术手段对制备高效HIT电池的重要性。 【作者单位】: 大连理工大学物理与光电工程学院;
【关键词】HIT太阳能电池 PECVD HWCVD 异质结太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积 开路电压 制备工艺 衬底 非晶 异质结电池
【分类号】:TM914.41
【正文快照】: 0引言能源危机下光伏产业发展迅速。光伏理论与技术的发展逐渐走向成熟,进一步推广光伏应用的关键是提高电池光电转换效率、降低电池成本。Si衬底上HIT电池是晶体Si上生长非晶Si薄层的异质结电池,具有工艺温度低、转换效率高、高温特性好的特点,是适合于大规模推广应用的低价

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

等离子体化学气相沉积TiN    李世直 ,黄午 ,杨洪顺 ,王忠恕

PECVD工艺与真空技术    俞诚

PECVD氮化硅抗反射膜的研究    原小杰,毛干如,郭维廉

PECVD法生长的氧化锡薄膜的结构与性能研究    柴璋,胡中波,杨连贵

等离子体增强CVD氮化硅作硅太阳电池的减反射膜    毛赣如,原小杰

工艺参数对PECVD TiN镀层性能的影响    张平余,刘洪,丛秋滋,张绪寿,王秀娥,顾则鸣

PECVD法沉积SiO_xN_y及其性质研究    徐宝琨;赵凤云;赵慕愚;

PECVD淀积工艺及室温NO_x气体传感器    廖清华,江风益,戴国瑞

PECVD多晶硅膜的计算机模拟    徐静平,余岳辉,陈涛,彭昭廉

基体预注氮改善PECVD TiN镀层的耐磨性能    张平余,刘洪,张军,王秀娥,张绪寿

IMPACT OF INTER-metaL OXIDE STRUCTURES ON MOS DEVICE STABILITY AND RELIABILITY    Vivek Jain;Dipankar Pramanik;

VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE FROM CRYSTALLIZED A-SI:H MULTI-QUANTUM-WELLS    

STUDY ON SOLID STATE REACTION OF TiN/Co/Ti MULTI-LAYER WITH AMORPHOUS SILICON    

THE ELECTRonIC ConDUCTION MECHANISM OF HYDROGENATED NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS    

Hydrogen Diffusion and Redistribution in PECVB Si-Rich Silicon Nitride during Rapid Thermal Annealing    S.S.He;VL.Shannon;

PECVD SILICON NITRIDE ASSISTED PROCESS FOR THE FABRICATION OF CH_4/H_2 PLASMA GATE RECESSED PSEUDOMORPHIC HEMT's    G.Zou;R.Pereira;W.De Raedt;M. Van Hove;M Van Rossum;

RECRYSTALLIZATION OF PECVD AMORPHOUS SILICON FILMS    H.C.CHENG;M.J.TSAI;R.D.CHANG;M.S.FENG;

MICROCRYSTALLINITY OF UNDOPED AMORPHOUS SILICON FILMS AND ITS EFFECTS ON THE TRANSFER CHARACTERISTICS OF THIN FILM TRANSISTORS    

FABRICATION OF SUB-0.5um GaAs MESFET's USING PECVD SILICON NITRIDE CAPPED ALLOY TECHNIQUE    G.Zou;W.De Raedt;G.Borghs;M.Van Rossum;

Effects of PECVD Substrate Heating on the Electrical Properties of a -Si:H Thin Film Transistors    M.S.Feng;Daivid Tseng;J.W.Liang;

道康宁推出三种CVD前驱物    美慧

我国多晶硅太阳能电池应用研究走上快速路    记者 王学健

AKT第七代PECVD预计明年中出货三星    静蓉

电子专用设备业的增长契机在哪里    诸玲珍

优利讯推广半导体工艺服务    杨连基

五家TFT厂新线陆续装机    琮淳

全球七代线扩厂拉开序幕    记者 王冠/北京

不让有害物通过——阻隔涂覆技术    

新型光伏电池效率居全国首位    陈丽娜

本土光伏设备供应量增长 关键设备还需进口    得可(中国)可替代能源/900项目经理 Daniel Chang

赝配高速电子迁移率晶体管及其微波单片集成电路研究    李洪芹

β-SiC薄膜的低温沉积及特性研究    王玫

高可靠性电子封装中防潮薄膜技术的研究    黄卫东

改性碳纳米管及其场发射性能研究    张继华

硅基和CIGS基ZnO薄膜生长及CIGS太阳能电池器件的研究    王应民

塑封TQFP器件及电子模块封装防潮性能的研究    赵润涛

射频辉光放电等离子体空间特性的探针研究    杨坤进

TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO_2和P-SiON薄膜的研究    闻黎

柔性衬底上非晶硅薄膜太阳电池的材料研究    张延生

太阳电池用氮化硅薄膜及氢钝化研究    王晓泉

非晶硅薄膜太阳电池的研究    郝国强

以硅带为衬底低温制备多晶硅薄膜的研究    邱春文

氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光学特性研究    侯海虹

氧碳含量对太阳电池光电转换效率影响的研究    霍秀敏

含氟无定形碳膜的PECVD制备及结构和性能研究    肖剑荣

Baidu
map