Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池快速热退火效应

【摘要】：利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流子浓度,改善薄膜质量;退火温度过高,则会引起正常格点处元素扩散,元素化学计量比改变,体内缺陷增加,吸收层带隙降低,反而会对CIGS薄膜造成破坏。 【作者单位】： 上海大学索朗光伏材料与器件研发联合实验室;上海电力学院数理学院物理实验中心;
【关键词】： 太阳能电池 快速热退火 光致发光 薄膜缺陷
【基金】：国家自然科学基金项目(60876045) 上海市基础研究重点项目(09JC1405900) 上海市重点学科建设项目(S30105) SHU-SOEN’s PV联合实验室基金项目(SS-E0700601)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池具有低成本、高效率等特性,应用前景非常大。目前,已经获得了高达20.3%的电池转换效率[1]。CIGS电池中薄膜体内和界面处的缺陷会增大载流子的复合速率,降低电池的短路电流、开路电压及填充因子等重要电学参数,从而使电池效率降低。如果对电池进

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