非晶硅锗薄膜太阳能电池研究

【摘要】：介绍了薄膜电池的制备技术及发展进程.采用射频等离子体加强气相沉积法(PECVD),制备了非晶锗硅薄膜,提出了制备优质非晶锗硅薄膜的条件和非晶锗硅薄膜的基本性质及其制备工艺中存在的问题和解决方案. 【作者单位】： 新乡学院物理与电子工程系;
【关键词】： 非晶半导体 非晶硅锗薄膜 太阳能电池
【基金】：新乡学院“理论物理”重点建设学科资助项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言目前,太阳能电池产业是增速最快的产业之一,但晶硅(单晶硅和多晶硅)太阳能电池价格较高(约1.98$/w[1]).晶硅薄膜太阳能电池因具有无毒、原料丰富、沉积温度低和与晶体硅电池生产有较好的兼容性等优点,而被广泛研究.1954年,贝尔实验室首次研制成功具有实用性的单晶硅太阳

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