CIGS薄膜太阳能电池吸收层的非真空制备工艺研究进展

【摘要】：综述了CIGS薄膜非真空制备工艺的研究现状,主要包括电化学沉积法、纳米颗粒沉积法、化学反应法和其他方法,指出了其主要问题和发展方向。非真空制备工艺制备CIGS薄膜一般包括两个步骤:第一,利用各种非真空工艺制备出预制层薄膜;第二,对预制层进行退火处理结晶成CIGS薄膜。相对于真空制备工艺,非真空制备工艺制备CIGS薄膜可大大降低CIGS薄膜太阳能电池的生产成本,越来越多地受到研究者和厂商的关注。 【作者单位】： 上海理工大学材料科学与工程学院;上海理工大学光电信息与计算机工程学院;
【关键词】： CIGS 太阳能电池 吸收层 非真空工艺
【基金】：国家自然科学基金(51101101) 上海市教委“晨光计划”(09CG51) 上海市教委重点学科项目(J50503)
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： 0引言铜铟镓硒薄膜太阳能电池是以多晶Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)半导体薄膜为吸收层的太阳能电池,具有高转换效率、低成本潜力、优异的抗辐照能力和高稳定性等优点,被认为是最有发展前景的新型光伏电池之一[1,2]。CIGS太阳能电池为多层结构,典型组成为Glass/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZAO/

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