关于晶体硅太阳能电池浅浓度扩散的研究

【摘要】：本文研究晶体硅太阳电池浅浓度扩散工艺,该工艺在过程中控制降低扩散浓度,减少扩散步骤,采用缓慢沉积的方式,从而减少扩散后结的死层,增大P-N结与浆料的契和度。可提高太阳能电池的短路电流0.25A～0.30A,从而使电池片效率提高3%以上,且使得扩散后方块电阻更加均匀,方法易行、操作简便、成本低廉。 【作者单位】： 青海聚能电力有限公司;
【关键词】： 浅浓度扩散 三氯氧磷 方块电阻 均匀度
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言本论文涉及常规晶体硅太阳能电池扩散技术领域,具体为晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺,采用一次氧化,一次沉积,一次恒温推进步骤,得到电池的P-N结,在沉积和恒温推进过程中控制降低扩散浓度,减少扩散步骤,从而减少扩散后结的死层,增大P-N结与浆料的契和度。可提高电池

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