含二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]氧膦杂环戊二烯共轭聚合物的合成及其在薄膜晶体管和体异质结太阳能电池中的应用

【摘要】：采用Stille缩聚反应,合成了3,5-二烷基-二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]氧膦杂环戊二烯与二联噻吩的共聚物P1和P2,系统研究了它们的热性能、电化学性质和光物理性质.结果表明,这2个聚合物具有良好的热稳定性,热分解温度均大于400℃;薄膜的最大吸收峰位于590 nm,光学带隙为1.76 eV.将P1和P2作为活性层制备了薄膜晶体管和体异质结太阳能电池,发现带有较长烷基链的P2的器件性能较好.在底栅、顶接触结构的薄膜晶体管中,P2的空穴迁移率最高达到0.0077 cm2V-1s-1;在AM 1.5 G 100 mW/cm2光照条件下,P2的光伏电池的开路电压为0.68 V,短路电流为7.9 mA/cm2,填充因子为52%,能量转换效率为2.8%. 【作者单位】： 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室;中国科学院大学;
【关键词】： 二噻吩并[ -b ' '-d]氧膦杂环戊二烯 共轭聚合物 薄膜晶体管 体异质结太阳能电池
【基金】：国家自然科学基金(基金号50833004)资助项目
【分类号】：O633.5;TM914.4
【正文快照】： 由于在发光二极管(LED),薄膜晶体管(TFT)和体异质结太阳能电池(BHJ-SC)中的应用,共轭聚合物的研究备受关注[1～4].采用不同的共轭芳香单元构筑共轭聚合物,可以调控共轭聚合物的光电性质,使其适用于不同的用途.调控链的刚性和光学带隙是共轭聚合物研究的重要内容,增大聚合物链

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