Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用

【摘要】：Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。 【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【关键词】： Ⅱ-Ⅵ族化合物 叠层太阳能电池 单极性半导体 掺杂
【基金】：国家自然科学基金资助项目(60876004) 北京市自然科学基金资助项目(2123065)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 太阳能的特点是能量总量大,辐射面积大,能量分布宽,而能量密度小,收集利用比较困难。传统单结太阳能电池主要有两部分效率损失:一是小于禁带宽度(Eg)的光子不被吸收,二是被激发的高能电子和空穴在与晶格碰撞迁移至带边的过程中,大于Eg的能量转化为热能。叠层太阳能电池由一系

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