电感耦合等离子体原子发射光谱法测定太阳能级硅中硼

【摘要】：研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中硼的方法。试验发现,在110℃左右的温度下,用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂,试样在PFA烧杯中能较快溶解,且在溶样时添加0.3mL甘露醇,可有效抑制硼的损失。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si),可控制样品空白中硼元素含量小于1μg/L,并能抑制部分基体效应。在仪器最佳工作状态下,选取B 182.641nm作为分析谱线,方法的检出限为18.10μg/L,回收率在92%~108%之间,相对标准偏差(RSD,n=11)不大于7.2%。样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合。 【作者单位】： 厦门理工学院材料科学与工程学院;华侨大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 电感耦合等离子体原子发射光谱法 太阳能级硅 洁净室 硼
【分类号】：O657.31;TQ127.2
【正文快照】： 太阳能级硅(SOG-Si)是生产太阳能电池片的主要原料,其中杂质元素尤其是硼元素的含量对硅片寿命和光电转换效率有着重要的影响[1-4]。我国现行国家标准方法只规定了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定工业硅中的Fe、Al、Ca、Ni、Mn、Ti 6种元素[5],还没有B的检测标准。文献报

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