非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

【摘要】：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3 m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(aSiGe)薄膜和太阳能电池。系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9%,同时填充因子(FF)也达到0.62。 【作者单位】： 浙江正泰太阳能科技有限公司;浙江大学硅材料国家重点实验室;
【关键词】： 非晶硅锗 光学带隙 太阳能电池
【基金】：国家国际合作项目(2010DFB63080) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 1引言硅基薄膜太阳能电池具有低能耗,原材料丰富等优点,使其在光伏领域具有一定的发展前景。目前非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)两结叠层电池技术已经实现产业化[1],但电池的生产成本相比主流的晶硅电池还是没有优势。采用三结叠层电池技术是提升硅基薄膜电池市场竞争力的有效途

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