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Si衬底上的HgCdTe光伏探测器

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:51:26
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Si衬底上的HgCdTe光伏探测器【摘要】:利用CdTe和GaAs中间外延层,首次在Si衬底上制作了HgCdTe红外光伏探测器。在热循环之后未观测到这些器件(截止波长为5.5μm,

【摘要】:利用CdTe和GaAs中间外延层,首次在Si衬底上制作了HgCdTe红外光伏探测器。在热循环之后未观测到这些器件(截止波长为5.5μm,在80K时R_0A高达200Ωcm~2)有裂缝或衰变。次级离子质谱测定法和俄歇数据证明:CdTe缓冲层使中间GaAs外延层中Ga的扩散,不致在高达500℃的生长温度下无意中使p-HgCdTe转变为n型。 【关键词】碲镉汞 光伏探测器 硅衬底
【正文快照】: 目前单晶CdTe是HgCdTe红外光电探测器的标准衬底,但是,应用于HgCdT“探测器阵列,由于CdTe衬底的质量及面积小、成本高和脆性,使其应用受到限制。有的文章[l]论证了在si上利用C dTe和GaAs中间缓冲层外延生长HgCdTe。本文描述在粗糙的低成本si衬底上,首次制作的H gCdTe探测器。

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