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紫外敏感硅光伏二极管的正向特性

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:48:04
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紫外敏感硅光伏二极管的正向特性【摘要】:通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置C-V特性和I-V特性与一般PN结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础

【摘要】:通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置C-V特性和I-V特性与一般PN结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型—─两个背靠背的二极管和一个电阻的串联,能很好地解释该器件的正反向特性。 【作者单位】: 中南民族学院
【关键词】紫外敏感硅光伏二极管 肖特基势垒二极管 C-V特性 I-V特性 势垒电容 整流接触
【分类号】:TN311.7
【正文快照】: 1引言紫外敏感硅光伏二极管的光谱应用范围宽,噪声低,紫外灵敏度高等特点,在紫外辐射探测、光辐射测量及光谱仪器中有广泛的应用。作为光电转换二极管仅在反向偏置下运用。所以一般仅对该器件的反向特性有一定的要求,而对其正向特性一般不去管它。本文在实验中发现这种

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