TiO_2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

【摘要】：在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS)。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性。结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高。在300~600℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600~800℃范围内随温度的升高而降低。 【作者单位】： 新疆大学物理科学与技术学院 新疆大学信息科学与工程学院 新疆大学物理科学与技术学院
【关键词】： n-PS/p-PS/Si TiO/n-Si/p-Si n-Si/p-Si 光伏效应
【基金】：国家自然科学基金资助项目(60267001) 中国科学院“西部之光”项目 新疆维吾尔自治区高校科学研究计划项目
【分类号】：O475
【正文快照】： 1引言多孔硅因具有特殊的光电性能,已成为新型功能材料研究的热点。纳米TiO2薄膜具有其他材料无法比拟的光电转换和电荷传输等半导体特性,在太阳电池、传感器等领域的应用引人注目[1]。制备TiO2薄膜的方法很多,其中,磁控溅射法由于轰击粒子能量高,成膜坚固、成膜条件和厚度易

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