HIT太阳能电池专利技术分析

【摘要】：为了解决晶体硅电池转换成本高效率高以及薄膜太阳能电池成本低效率低的难题,原日本三洋公司从1996年开发带有本征薄层异质结(hetero-junction with intrinsic thin layer,HIT)电池,其中硅表面钝化是影响其光电转换效率的主要因素。本文主要分析了目前重要企业和研究机构在进行硅表面钝化中采用的各种工艺手段;此外,还重点分析了HIT载流子输出的改进。 【作者单位】： 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心;
【关键词】： HIT太阳能电池 专利
【分类号】：TM914.4-18
【正文快照】： HIT[1]太阳电池结构的特色是在p+或n+型a-Si和n型c-Si之间夹有一层极薄的本征a-Si层(如图1)。这一结构基于三洋(sanyo electric)在制备高质量a-Si薄膜和a-Si电池时采用的低等离子体/热损伤沉积技术[2]。CONVERGE软件中喷射模型不考虑氢气的喷射压力。直接将氢气的质量流量作为

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