等离子体CVD法在P-SiN膜太阳能电池中的应用

【摘要】：利用 Ｐ－ＣＶＤ法在 Ｐ—ｎ硅太阳能电池上面形成非晶氮化硅防反射膜。利用改变 Ｐ－ＣＶＤ的工作参数很容易控制 ａ－ＳｉＮ－ＡＲＣ膜的反射指数，所以理论上可以形成很匹配的 ＡＲＣ膜。 利用这种技术生产的带有 ＡＲＣ 薄膜的硅太阳能电地在实用转换效率方面提高了 ４６％，与非镀膜的太阳能电池相比，短路电流提高 ４３％。 【关键词】： 太阳能电池 等离子体CVD P-Si 折射率 原子比 防反射膜 C形 初始真空度 基板温度 转换效率
【正文快照】： 互.前首 作为单晶硅太阳能电池的防反射膜(以下简称ARC)来说,一般是LI SIO、TIO。及A12O3等膜通过蒸镀法和溅射法而获得的。近年来,也有采用阳极氧化法、热CVD法以及旋压法等方法。现通过采用等离子体CVD法的非晶硅氮化膜以及等离子硅氮化膜(以下简称P一出N膜)的结果表明,太

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