太阳能级多晶硅中的晶体缺陷及其控制

【摘要】：本文报道了位错、孪晶等晶体缺陷在多晶硅材料中的分布规律及结晶条件对其影响,并探讨了控制凝固条件以降低晶体缺陷密度的可能途径。结果表明,在相同的结晶条件下各类晶体缺陷在多晶硅锭的同一横截面上呈均匀分布,但在沿结晶生长方向上不同部位存在较大差异;凝固过程中横向温度梯度对位错密度有显著影响,控制合理结晶条件将使位错密度显著降低。 【作者单位】： 东南大学材料科学与工程系 东南大学材料科学与工程系 东南大学材料科学与工程系 东南大学材料科学与工程系
【关键词】： 多晶硅锭 晶体缺陷 位错密度 横向温度 孪晶 位错蚀坑 小角度晶界 太阳能 结晶条件 金相照片
【正文快照】： 一、引言 由于成本低廉及制备工艺过程简单,多晶硅这一用于制备太阳电池的新型能源转换材料,近年来在国内外得到迅速的发展比2〕。与单晶硅相比,由于多晶硅原材料中有较高的杂质元素,并且结晶条件和结晶组织也有差异,故多晶硅材料中存在较多的位错、李晶等晶体缺陷,它们在光

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