a-Si:H太阳能电池i层中氧、硼杂质对其稳定性影响

【摘要】：基于pin结构的a－Si：H太阳能电池中空间电荷效应，讨论了i层中氧、硼杂质对其性能的影响，结果表明，氧硼杂质存在都改变a－Si：H太阳能电池内部电场分布，不利于光生载流子收集，但i层轻度因掺杂可抑制a－Si：H太阳能电池光诱导性能衰退，提高电池稳定性。而i层氧含量和助长了a－Si：H太阳能电地光诱导性能衰退的发生，高于1020cm－3的氧含量是有害的。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系!合肥 230026
【关键词】： a－Si：H光诱导性能衰退 空间电荷效应 载流子收集长度
【分类号】：TM914
【正文快照】： 191言Pin结构的a－St：H太阳能电池能量转换效率强烈地依赖于其本征i层的质量，因为作为有源区，i层肩负光生载流子产生与收集。但：－a：H薄膜制备过程中有多种杂质侵入，如来自大气污染C、N、O，反应气体CI，衬底Na、Cr以及人为掺杂P、B、Ge等，Carlson［‘］首先研究杂质在

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