数值模拟提高μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的界面载流子传输质量

【摘要】：通过使用AFORS-HET软件模拟透明导电膜(TCO)的功函数对能带结构的影响,以及能带失配的影响,载流子的运动和分布来分析和讨论界面处载流子传输性能。结果表明界面处的能带失配和透明导电膜的功函数强烈的影响载流子的传输质量和太阳能电池的性能。当导带失配在μc-Si:H(n)/c-Si(p)界面低于0.3eV,透明导电膜的功函数在TCO/μc-Si:H(n)界面低于4.3eV并且导带失配在c-Si(p)/BSF界面为0.25eV时,模拟具有纹理结构的TCO/μc-Si:H(n)/aSi:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)/TCO太阳能电池的Voc为775mV,Jsc为42.03mA/cm2,FF为75%,而效率达到了24.43%。这说明进一步深入的理解太阳能电池的界面传输机理可以提高太阳能电池界面载流子传输质量和电池效率。 【作者单位】： 太原科技大学应用科学学院;
【关键词】： 能带失配 界面传输质量 异质结 功函数
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 引言a-Si:H/c-Si或μc-Si:H/c-Si异质结太阳电池结合了薄膜硅的工艺优势与晶体硅电池的优点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景,影响a-Si:H/c-Si或μc-Si:H/c-Si异质结性能的两个关键界面参数是能带补偿和界面态[1-2]。由于基于a-Si:H的太阳能电池因其本身的光致衰退问

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容