P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

【摘要】：采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的p型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性。其中的成核层,不仅促进微晶相p层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用。 【作者单位】： 华中科技大学电子科学与技术系;
【关键词】： p型微晶硅 界面处理 柔性太阳能电池
【基金】：华中科技大学人才引进基金(HUST2006176)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言p/i界面对硅薄膜太阳能电池的光伏特性有很重要的影响,减少界面的复合损失有利于提高电池的短路电流和开路电压VOC[1-3]。研究表明:采用宽带隙、高电导率的p型微晶硅作非晶硅太阳能电池的窗口层,可以提高电池的内键电势能,降低串联电阻及吸收损失,从而获得高的转换效率[4

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