使用 GaN FET 器件实现的高效升压电路示例

    氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是下一代射频功率晶体管技术的一部分，它们是新型高频器件，它们是迁移率更高，允许以的功耗和更低的传导损耗传输高电流率。
    升压电路示例，输入和输出电压等于 240V – 400V 的 DC-DC CCM 升压转换器示例，下图是10kW的解决方案，其转换通过100 kHz开关信号驱动。相应的图表还显示了开关和驱动频率为50 kHz、70 kHz和100 kHz时的效率曲线。
    它的特征是
    栅极驱动器 = Si8285 （4 A）
    栅极电压 = 0 V -12 V
    Rg，开启 = 5 欧姆
    Rg，关闭 = 15 欧姆
    死区时间 = 300 ns
    铁氧体磁珠 = 120 欧姆（100 MHz 时）

    直流缓冲器 = 10 nF + 2 欧姆。